特許
J-GLOBAL ID：200903024787716387
半導体レーザ素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-267006
公開番号（公開出願番号）：特開平10-117040
出願日： 1996年10月08日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：
【要約】【課題】 回折格子のピッチを変えることにより発振波長を変えていても、ゲインピーク波長が全ての素子において一定に保たれているため、デチューニング量を全ての素子において同じ量に設定することができず、レーザ特性にばらつきが生じてしまう。【解決手段】 回折格子2のピッチに応じてレーザ領域や変調領域における絶縁膜であるSiO2の幅を変えることによって、複数のMQW活性層5のそれぞれの組成を互いに異なるようにし、それにより、発振波長を変えた場合においてもデチューニングを適切な範囲に設定する。
請求項（抜粋）：
同一半導体基板上に形成された発振波長の異なる複数の単一軸モード半導体レーザからなる半導体レーザ素子において、前記複数の単一軸モード半導体レーザは、それぞれの活性層において互いに異なるピーク波長を具備する光学利得を有することを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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