半導体装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：小川勝男 , 田中恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-276565
公開番号（公開出願番号）：特開2006-093382
出願日： 2004年09月24日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：

【課題】高温で動作可能な測温ダイオードを内蔵し、高温環境下で用いることができる炭化珪素半導体装置を提供すること。【解決手段】静電誘導トランジスタとして、溝部110,111を制御領域12,14に利用する構造を採る場合、制御層間距離によってノーマリオフ型とすることができる。このノーマリオフを素子間分離として用い、炭化珪素と多結晶シリコンとのヘテロ接合ダイオード114(又はpn接合ダイオード)を構成する。また、深いp型の第3層30を接地することによっても、素子間分離を達成し、この内側のn型第4層と基体他面との間に測温ダイオードを造り込むことができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体の第1導電型n(又はp)の一面に形成されたドレイン電極と、前記半導体の他面に形成された一対の溝部と、これらの溝部に沿って形成された第2導電型p(又はn)の制御領域と、これらの溝部の間で半導体の前記他面に形成された第1導電型のソース領域と、このソース領域に接合したソース電極と、前記制御領域に隣接するゲート電極を備えた縦型の電界効果トランジスタを備えた半導体装置において、前記電界効果トランジスタとは独立して、半導体の前記他面に形成された一対の溝部と、これらの溝部に沿って形成された第2導電型の制御領域と、一対の前記溝部の間で前記他面に接合を形成されたダイオードを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 27/095 , H01L 29/80 , H01L 27/06 , H01L 21/823 , H01L 29/861 , H01L 29/872 , H01L 29/47 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (7件)：

H01L29/80 E , H01L29/80 V , H01L27/06 F , H01L29/91 H , H01L29/91 L , H01L29/48 D , H01L27/04 H

Fターム (26件)：

4M104AA03 , 4M104CC03 , 4M104GG03 , 5F038AV01 , 5F038AV04 , 5F038AZ08 , 5F038BH05 , 5F038BH15 , 5F038CA08 , 5F038EZ20 , 5F102FA01 , 5F102FA09 , 5F102FB01 , 5F102GA14 , 5F102GB04 , 5F102GC07 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GL02 , 5F102GM02 , 5F102GR07 , 5F102GR09 , 5F102GR11 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC15

引用特許：

出願人引用 (1件)

整流ゲートを有する三端子ゲート制御半導体スイッチング・デバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願平7-518113 出願人：ノースカロライナステートユニバーシティ

審査官引用 (4件)

高耐圧半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-076252 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-039885 出願人：三菱電機株式会社
接合型FETの駆動回路並びに半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-259662 出願人：株式会社デンソー

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