ナフタレン含有誘導体フォトレジスト

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：朝日奈宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-246577
公開番号（公開出願番号）：特開平11-065103
出願日： 1997年09月11日
公開日（公表日）： 1999年03月05日
要約：

【要約】【課題】 193nmで用いるのに適したフォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】樹脂と、インヒビターとして5〜40重量%のナフタレン誘導体と、フォト酸発生体とを含むフォトレジスト組成物である。該樹脂は、ポリアクリレート共重合体、ポリカーボネート共重合体、ポリヒドロキシスチレン共重合体からなるグループから選ばれ、該ナフタレン誘導体は、2つの酸反応活性基を含み、分子量は1000未満である。

請求項（抜粋）：

(a)ポリアクリレート共重合体、ポリカーボネート共重合体、ポリヒドロキシスチレン共重合体よりなる群から選択される樹脂;(b)該樹脂に対し5〜40重量%の量であって、分子量が1000未満の、式(A):【化1】および式(B):【化2】(式中、R1、R2およびR3はそれぞれ独立して、水素、炭素数1〜8の炭化水素、フェニル誘導体、ベンジル誘導体またはシクロアルキル誘導体である)で示されるナフタレン誘導体よりなる群から選択されるインヒビター、ならびに(c)フォト酸発生体を含むナフタレン含有誘導体フォトレジスト。

IPC (5件)：

G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/033 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 A , G03F 7/033 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-037760
特開昭63-027829
ポジチブ処理感放射線混合物およびレリーフパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-293332 出願人：ビーエーエスエフアクチェンゲゼルシャフト

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