特許
J-GLOBAL ID：200903024886276062
基板の粗面化方法およびそれを用いた光起電力装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
曾我 道治
, 古川 秀利
, 鈴木 憲七
, 梶並 順
, 大宅 一宏
, 上田 俊一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-286937
公開番号（公開出願番号）：特開2009-117503
出願日： 2007年11月05日
公開日（公表日）： 2009年05月28日
要約：
【課題】粒子の凝集を起こすことなく、安定的に単層粒子層のエッチングマスクを形成して、このマスクを用いてエッチングを行うことのできる基板の粗面化方法を得る。【解決手段】基板1上に第1の粘着層2を形成する第1の工程(a)と、第1の粘着層2上に耐エッチング性の粒子3を乾式で被着させる第2の工程(b)と、転圧用ローラ4を用いて粒子3を第1の粘着層2上に加圧する第3の工程(c)と、最下層の単層粒子層3aを残して粒子3を除去する第4の工程(d)と、最下層の粒子層3aをマスクとして基板1をエッチングする第5の工程(e)と、基板1から第1の粘着層2を除去するとともに、最下層の粒子層3aを除去する第6の工程(f)とを備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に第1の粘着層を形成する第1の工程と、
前記第1の粘着層上に耐エッチング性の粒子を乾式で被着させる第2の工程と、
転圧用ローラを用いて前記粒子を前記第1の粘着層上に加圧する第3の工程と、
最下層の単層粒子層を残して前記粒子を除去する第4の工程と、
前記単層粒子層をマスクとして前記基板をエッチングする第5の工程と、
前記基板から前記第1の粘着層を除去するとともに、前記単層粒子層を除去する第6の工程と
を備えた基板の粗面化方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F051AA03
, 5F051BA14
, 5F051CB12
, 5F051CB21
, 5F051CB22
, 5F051CB27
, 5F051FA06
, 5F051FA14
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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