特許
J-GLOBAL ID：200903070545370925
太陽電池及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-256076
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073832
出願日： 2004年09月02日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】表面反射率が低い凹凸構造を有する太陽電池を提供する。【解決手段】半導体基板の表面に、開口幅が0.5〜5.0μmであり、開口幅と深さの比が0.3〜3.0である断面形状が曲面状の凹型構造を形成する。この凹型構造相互間には凹型構造のない領域を形成し、その占有面積率(半導体基板の表面積に対する凹型構造のない領域の占有する面積比)を1〜40%とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
PN接合を有する半導体基板と、この半導体基板の表裏面に形成された一対の電極とを備え、前記半導体基板はその表面に、開口幅が0.5〜5.0μmであり、開口幅と深さの比が0.3〜3.0である断面曲面形状の凹型構造部を有するとともに、前記凹型構造部の相互間領域が前記半導体基板の表面積に対して占有面積率1〜40%に設定されたことを特徴とする太陽電池。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L31/04 F
, H01L21/308 D
, H01L31/04 L
, H01L31/04 X
5F043AA10
, 5F043BB03
, 5F043FF10
, 5F043GG10
, 5F051AA03
, 5F051CB21
, 5F051DA03
, 5F051GA04
, 5F051GA15
, 5F051GA16
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (11件)
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