特許
J-GLOBAL ID：200903024896146175
半導体デバイス用洗浄剤及びそれを用いた半導体デバイスの洗浄方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
中島 淳
, 加藤 和詳
, 西元 勝一
, 福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-046208
公開番号（公開出願番号）：特開2008-210990
出願日： 2007年02月26日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：
【課題】半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、半導体デバイス表面、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面に存在する有機残渣やパーティクルなどを、銅配線の腐蝕や酸化を引き起こすことなく、有効に除去することができる洗浄剤及びそれを用いた半導体デバイスの洗浄方法を提供する。【解決手段】半導体デバイス製造工程における化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、(A)有機酸、及び、(B)包接化合物を含有する洗浄剤である。包接化合物としては、シクロデキストリンなどが好ましい。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
半導体デバイス製造工程において、表面に銅配線を有する半導体デバイスの化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、
(A)有機酸、及び、(B)包接化合物を含有する洗浄剤。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/304 647A
, H01L21/304 622Q
, C11D7/26
4H003DA15
, 4H003EB07
, 4H003EB08
, 4H003EB12
, 4H003EB41
, 4H003FA05
, 4H003FA15
