特許
J-GLOBAL ID：200903044713547401

半導体デバイス用基板洗浄液及び洗浄方法

発明者：
池本 慎

池本 慎 について

, 
森永 均

森永 均 について


出願人/特許権者：
三菱化学株式会社

三菱化学株式会社 について


代理人 (1件)： 重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-023550
公開番号（公開出願番号）：特開2005-260213
出願日： 2005年01月31日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：
【課題】基板表面を腐食することなくパーティクル汚染、有機物汚染及び金属汚染を同時に除去することができ、しかも水リンス性も良好で、短時間で基板表面を高清浄化することができる半導体デバイス用基板及び洗浄方法を提供する。【解決手段】成分(a):有機酸、成分(b):有機アルカリ成分、成分(c):界面活性剤、及び成分(d):水を含み、pHが1.5以上6.5未満である半導体デバイス用基板洗浄液。この半導体デバイス用基板洗浄液を用いて、表面にCu膜と低誘電率絶縁膜とを有し、かつ、CMP処理後の半導体デバイス用基板を洗浄する半導体デバイス用基板の洗浄方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
半導体デバイス用基板の洗浄液において、以下の成分(a)、(b)、(c)、及び(d)を含み、かつpHが1.5以上6.5未満であることを特徴とする半導体デバイス用基板洗浄液。 成分(a):有機酸 成分(b):有機アルカリ成分 成分(c):界面活性剤 成分(d):水
IPC (2件)：
H01L21/304 ,  H01L21/3205
FI (4件)：
H01L21/304 647A ,  H01L21/304 622Q ,  H01L21/304 647B ,  H01L21/88 Z
Fターム (29件)：
5F033GG00 ,  5F033GG01 ,  5F033GG04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH15 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH25 ,  5F033HH32 ,  5F033HH35 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ93 ,  5F033QQ96 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR22 ,  5F033WW00 ,  5F033WW04 ,  5F033XX18 ,  5F033XX21 ,  5F033XX24
引用特許：
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM