特許
J-GLOBAL ID：200903024951603823
半導体装置の自己整列コンタクト形成方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-170184
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031085
出願日： 1999年06月16日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 ゲート電極とコンタクトパッドとの短絡を防止する半導体装置の自己整列コンタクト形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に第1導電層及び第1絶縁層を順序に形成する段階と、絶縁層パターン及び導電層パターンを形成する段階と、第2絶縁層を形成する段階と、第2絶縁層上に層間絶縁膜を形成する段階と、層間絶縁膜上にオープン領域を有するマスクパターンを形成する段階と、導電層パターンの間の活性領域の一部が露出されるときまで層間絶縁膜及び第2絶縁層を順序にエッチングしてコンタクトホール及びスペーサを同時に形成し、スペーサは導電層パターンと絶縁層パターンの両側壁に形成され、コンタクトホールはスペーサとその隣接のスペーサとの間に形成される段階と、マスクパターンを除去する段階と、コンタクトホールに第2導電層を充填する段階とを含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
活性領域と非活性領域とを定義して形成された素子隔離膜を有する半導体基板上に第1導電層及び第1絶縁層を順序に形成する段階と、前記第1絶縁層及び第1導電層を順序に部分的にエッチングして各々絶縁層パターン及び導電層パターンを形成する段階と、前記半導体基板前面に第2絶縁層を形成する段階と、前記第2絶縁層上に層間絶縁膜を形成する段階と、前記層間絶縁膜上にオープン領域を有するマスクパターンを形成する段階と、前記マスクパターンを使用して導電層パターンの間の活性領域の一部が露出されるときまで層間絶縁膜及び第2絶縁層を順序にエッチングしてコンタクトホール及びスペーサを同時に形成し、前記スペーサは、前記導電層パターンと絶縁層パターンの両側壁に形成され、前記コンタクトホールは、スペーサとその隣接のスペーサとの間に形成される段階と、前記マスクパターンを除去する段階と、前記コンタクトホールを第2導電層で充填する段階とを含むことを特徴とする半導体装置の自己整列コンタクト形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28
, H01L 21/768
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L 21/28 L
, H01L 21/90 C
, H01L 29/78 301 P
