特許
J-GLOBAL ID：200903024988446523

強誘電体キャパシタの製造方法、強誘電体メモリ装置の製造方法

発明者：
田村 博明

田村 博明 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 西 和哉 ,  志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-242464
公開番号（公開出願番号）：特開2009-076572
出願日： 2007年09月19日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：
【課題】良好な強誘電体キャパシタを効率よく製造する。【解決手段】本発明の強誘電体キャパシタの製造方法は、第1電極33aと第2電極35aとの間に挟持された強誘電体膜34aを有する強誘電体キャパシタの製造方法であって、基板上方に、電極膜331を形成する工程と、電極膜331の表層を酸素分圧が2%以上の大気圧雰囲気で熱酸化して、酸化電極層332とする熱酸化工程と、電極層331上に、MOCVD法で強誘電体膜34aを形成するとともに、強誘電体膜34aの下地となる酸化電極層332を含む電極膜331を第1電極33aとする強誘電体膜形成工程と、強誘電体膜34a上に第2電極35aを形成する工程と、を有することを特徴とする。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
第1電極と第2電極との間に挟持された強誘電体膜を有する強誘電体キャパシタの製造方法であって、 基板上方に、電極膜を形成する工程と、 前記電極膜の表層を酸素分圧が2%以上の大気圧雰囲気で熱酸化して、酸化電極層とする熱酸化工程と、 前記電極層上に、MOCVD法で強誘電体膜を形成するとともに、該強誘電体膜の下地となる前記酸化電極層を含む前記電極膜を第1電極とする強誘電体膜形成工程と、 前記強誘電体膜上に第2電極を形成する工程と、を有することを特徴とする強誘電体キャパシタの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105
FI (1件)：
H01L27/10 444B
Fターム (20件)：
5F083FR02 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR25 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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