特許
J-GLOBAL ID：200903048028345451

半導体装置の製造方法およびコンピュータ記憶媒体

発明者：
松本 賢治

松本 賢治 について

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那須 勝行

那須 勝行 について

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迫田 智幸

迫田 智幸 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-176060
公開番号（公開出願番号）：特開2006-351828
出願日： 2005年06月16日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：
【課題】 (111)配向を有するPZT膜をMOCVD法により形成する。【解決手段】 (111)配向を有するPTO核生成層を、MOCVD法により、340Pa未満の低酸素分圧下において、5nm以上、好ましくは8nm以上の膜厚に形成し、その上にPZT膜をMOCVD法により形成する。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
下部電極上に核生成層として主として(111)配向を有するPbTiOx膜を、MOCVD法により、2nmを超える膜厚に形成する工程と、 前記核生成層上に主として(111)配向のPZT膜を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、 前記PbTiOx膜を形成する工程は340Pa未満の酸素分圧下で実行されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  C23C 16/02
FI (3件)：
H01L21/316 X ,  H01L27/10 444C ,  C23C16/02
Fターム (28件)：
4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA42 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030LA15 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BF04 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR01 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083PR21
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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