特許
J-GLOBAL ID：200903010817698949

半導体装置の製造方法

発明者：
倉澤 正樹

倉澤 正樹 について

, 
丸山 研二

丸山 研二 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-129063
公開番号（公開出願番号）：特開2003-324101
出願日： 2002年04月30日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：
【要約】【課題】 MOCVD法により、(111)配向を有するペロブスカイト構造の強誘電体膜を形成する。【解決手段】 MOCVD法によりペロブスカイト型強誘電体膜を形成するにあたり、最初に低い酸素濃度で(111)配向を有する初期層を形成し、その上に、より高い酸素濃度で強誘電体膜の堆積を継続し、前記初期層を核として、強誘電体膜全体を(111)配向させる。
請求項（抜粋）：
ペロブスカイト型構造を有する強誘電体膜を含み、前記強誘電体膜中において強誘電体結晶主として(111)配向している半導体装置の製造方法であって、前記強誘電体膜を基板上に、有機金属原料ガスと酸化ガスとの反応により形成する工程を含み、前記強誘電体膜を形成する工程は、前記酸化ガスの濃度を、時間と共に変化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316 ,  H01L 27/105
FI (2件)：
H01L 21/316 X ,  H01L 27/10 444 B
Fターム (23件)：
5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BC20 ,  5F058BE10 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BF80 ,  5F058BG02 ,  5F083FR02 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA01 ,  5F083NA08 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33
引用特許：
審査官引用 (6件)
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