特許
J-GLOBAL ID：200903052055738217

半導体装置およびその製造方法

発明者：
田村 博明

田村 博明 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 布施 行夫 ,  大渕 美千栄 ,  伊奈 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-018974
公開番号（公開出願番号）：特開2007-201242
出願日： 2006年01月27日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：
【課題】強誘電体キャパシタを構成する各層の結晶配向が良好に制御された半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、基板10と、基板の上方に設けられたバリア層42と、バリア層の上方に設けられた下部電極44と、下部電極の上方に設けられた強誘電体層46と、強誘電体層に設けられた上部電極48と、を含み、下部電極は、所定の配向を有する第1電極層44aと、第2電極層44bとが積層されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板の上方に設けられたバリア層と、 前記バリア層の上方に設けられた下部電極と、 前記下部電極の上方に設けられた強誘電体層と、 前記強誘電体層の上方に設けられた上部電極と、を含み、 前記下部電極は、所定の配向を有する第1電極層と、第2電極層とが積層されている、半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105
FI (1件)：
H01L27/10 444B
Fターム (16件)：
5F083FR02 ,  5F083GA27 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (8件)
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