特許
J-GLOBAL ID:200903025059194214

ダイヤモンド様薄膜の評価方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (11件): 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-229379
公開番号(公開出願番号):特開2009-063325
出願日: 2007年09月04日
公開日(公表日): 2009年03月26日
要約:
【課題】ダイヤモンド様薄膜における炭素の結合状態を簡便に評価する評価方法を実現できるようにする。【解決手段】ダイヤモンド様薄膜の評価方法は、ダイヤモンド様薄膜の電気抵抗率を測定するステップと、電気抵抗率とあらかじめ算出した評価式とに従いダイヤモンド様薄膜における炭素の結合状態を評価するステップとを備えている。【選択図】図4
請求項(抜粋):
ダイヤモンド様薄膜の電気抵抗率を測定するステップ(a)と、 前記電気抵抗率とあらかじめ算出した評価式とに従い前記ダイヤモンド様薄膜における炭素の結合状態を評価するステップ(b)とを備えていることを特徴とするダイヤモンド様薄膜の評価方法。
IPC (2件):
G01N 27/04 ,  G01N 23/227
FI (2件):
G01N27/04 Z ,  G01N23/227
Fターム (9件):
2G001AA01 ,  2G001BA08 ,  2G001CA03 ,  2G001GA01 ,  2G001LA06 ,  2G060AA08 ,  2G060AD03 ,  2G060AE40 ,  2G060AF07
引用特許:
審査官引用 (6件)
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引用文献:
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