酸化セリウム研磨剤、基板の研磨法及び半導体装置

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-184791
公開番号（公開出願番号）：特開2000-017195
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 2000年01月18日
要約：

【要約】【課題】沈降しにくく、またSiO2絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨することが可能な酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法を提供する。【解決手段】酸化セリウム粒子、アクリル酸アンモニウム塩とアクリル酸メチルの共重合体および水を含む酸化セリウム研磨剤。アクリル酸アンモニウム塩とアクリル酸メチルの共重合体が酸化セリウム粒子100重量部に対して0.01以上5重量部以下添加すること、アクリル酸アンモニウム塩とアクリル酸メチルの共重合体の重量平均分子量は1000〜20000、アクリル酸アンモニウム塩/アクリル酸メチルのモル比は10/90〜90/10が好ましい。本発明の酸化セリウム研磨剤で、シリカ膜が形成された半導体チップ等の基板を研磨することができる。

請求項（抜粋）：

酸化セリウム粒子、アクリル酸アンモニウム塩とアクリル酸メチルの共重合体および水を含む酸化セリウム研磨剤。

IPC (6件)：

C09C 1/68 , B24B 37/00 , C01F 17/00 , C09K 3/14 550 , C09K 3/14 , H01L 21/304 622

FI (6件)：

C09C 1/68 , B24B 37/00 H , C01F 17/00 Z , C09K 3/14 550 D , C09K 3/14 550 K , H01L 21/304 622 D

Fターム (26件)：

3C058AA07 , 3C058CB02 , 3C058CB03 , 3C058CB10 , 3C058DA02 , 3C058DA17 , 4G076AA02 , 4G076AA24 , 4G076AB09 , 4G076AC04 , 4G076BA39 , 4G076BA46 , 4G076BC08 , 4G076BD01 , 4G076CA05 , 4G076CA15 , 4G076CA26 , 4G076CA28 , 4G076DA30 , 4J037AA08 , 4J037CC16 , 4J037DD04 , 4J037EE43 , 4J037EE46 , 4J037FF15 , 4J037FF30

引用特許：

出願人引用 (8件)

平坦化のための研磨工程およびスラリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-315093 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
特開昭52-074585
特開昭54-043190

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審査官引用 (14件)

平坦化のための研磨工程およびスラリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-315093 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
特開昭52-074585
特開昭52-074585

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