特許

J-GLOBAL ID：200903025160791398

窒素化合物半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 湯浅 貴之 ,  上田 吉裕 ,  小河 淳 ,  津田 有三 ,  荒木 正浩
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-184442
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015808
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】 より高い発光効率の発光層を備える窒素化合物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 窒素化合物半導体からなる第1及び第2の障壁層と、該第1及び第2の障壁層の間に隣接して配設された、インジウムを含む窒素化合物半導体層からなる井戸層と、を少なくとも備える積層構造を発光層として含む窒素化合物半導体発光素子の製造方法が、該第1の障壁層を結晶成長させる工程と、該第1の障壁層の成長工程の後で、かつ該井戸層の成長工程の前に、第1の成長中断を行う工程と、該第1の障壁層の上に、該井戸層を結晶成長させる工程と、該井戸層の上に、該第2の障壁層を結晶成長させる工程と、を含む。

請求項（抜粋）：

窒素化合物半導体からなる第1及び第2の障壁層と、該第1及び第2の障壁層の間に隣接して配設された、インジウムを含む窒素化合物半導体層からなる井戸層と、を少なくとも備える積層構造を発光層として含む窒素化合物半導体発光素子の製造方法であって、該第1の障壁層を結晶成長させる工程と、該第1の障壁層の成長工程の後で、かつ該井戸層の成長工程の前に、第1の成長中断を行う工程と、該第1の障壁層の上に、該井戸層を結晶成長させる工程と、該井戸層の上に、該第2の障壁層を結晶成長させる工程と、を含む、窒素化合物半導体発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/343

Fターム (15件)：

5F041AA04 ,  5F041AA05 ,  5F041AA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-038324   出願人：株式会社東芝
• GaN系化合物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-185864   出願人：株式会社東芝
• 薄膜成長装置及びこれを用いた窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-310323   出願人：松下電器産業株式会社
• III族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-118314   出願人：昭和電工株式会社
• 窒化物半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-290218   出願人：日亜化学工業株式会社