特許

J-GLOBAL ID：200903025164341133

半導体発光装置

発明者： 下山 謙司 ,  清見 和正
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 釜田 淳爾 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-139579
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332359
出願日： 1999年05月20日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 第1導電型光ガイド層のAl含有量を高めずにエッチングを第1導電型光ガイド層で止めることができる材料組成を見出すことにより、所望のリッジ構造を有する高性能な半導体発光装置を提供すること。【解決手段】 基板、該基板上に形成された第1導電型光ガイド層、端面近傍を除く前記第1導電型光ガイド層上に形成された少なくとも活性層と第2導電型クラッド層を含むリッジ構造、前記リッジ構造の側面および前記リッジ構造が形成されていない前記第1導電型光ガイド層上に形成された電流ブロック層を有する半導体発光装置であって、前記第1導電型光ガイド層の組成がXAs1-xPx(Xは一種類以上のIII族元素)であり、前記活性層の組成がYAs1-yPy(Yは一種類以上のIII族元素)であって、下式(1):0.2≦|x-y|≦1 (1)を満足することを特徴とする半導体発光装置。

請求項（抜粋）：

基板、該基板上に形成された第1導電型光ガイド層、端面近傍を除く前記第1導電型光ガイド層上に形成された少なくとも活性層と第2導電型クラッド層を含むリッジ構造、前記リッジ構造の側面および前記リッジ構造が形成されていない前記第1導電型光ガイド層上に形成された電流ブロック層を有する半導体発光装置であって、前記第1導電型光ガイド層の組成がXAs1-xPx(Xは一種類以上のIII族元素)であり、前記活性層の組成がYAs1-yPy(Yは一種類以上のIII族元素)であって、下式(1):0.2≦|x-y|≦1 (1)を満足することを特徴とする半導体発光装置。

IPC (3件)：

H01S 5/227 ,  H01S 5/16 ,  H01S 5/343

FI (3件)：

H01S 5/227 ,  H01S 5/16 ,  H01S 5/343

Fターム (15件)：

5F073AA26 ,  5F073AA44 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AA86 ,  5F073CA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CA13 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02 ,  5F073CB10 ,  5F073CB11 ,  5F073DA05 ,  5F073DA23 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-257881   出願人：シャープ株式会社
• 埋込型半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-198569   出願人：住友電気工業株式会社
• 半導体レーザ装置、及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-067930   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-026404   出願人：富士通株式会社