特許
J-GLOBAL ID：200903025226266400

絶縁体構造を強化した電界効果トランジスタ

発明者：
ビーチ・ロバート

ビーチ・ロバート について


出願人/特許権者：
インターナショナル・レクティファイヤ・コーポレーション

インターナショナル・レクティファイヤ・コーポレーション について


代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-542809
公開番号（公開出願番号）：特表2007-537580
出願日： 2004年12月06日
公開日（公表日）： 2007年12月20日
要約：
【解決手段】材料層の界面の面内格子定数の間の関係を操作することにより、III族窒化物ベースの電界効果トランジスタの性能特性を改善する。III族窒化物材料の界面において生成される高移動度の二次元電子ガスは、低いオン抵抗での高い導電を可能にし、III族窒化物材料の特性に従って得られた自発分極電界の操作によって制御可能である。電界効果トランジスタは、ノミナリーオン型の素子として形成可能であり、その際、界面を形成する材料の面内格子定数は一致する。材料層の一方が、他方の層の材料よりも大きい面内格子定数を有するようにして、ノミナリーオフ型の素子を形成してもよい。層の材料は、本発明の特性に対して特に調整したInAlGaN/GaNの層であることが好ましい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III族窒化物素子であって、 第1の組成を有する第1のIII族窒化物材料からなる第1の層と、 前記第1の組成とは異なる第2の組成を有する第2のIII族窒化物材料からなり、前記第1の層と接触して配置された第2の層と、 前記第1の層と前記第2の層とによって形成され、電流を伝えるための二次元電子ガスを供給する界面と、を備え、 前記第1の層および前記第2の層は、前記第1の層と前記第2の層との前記界面の面内における格子定数が、ほぼ同一になるように形成される、素子。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (1件)：
H01L29/80 H
Fターム (9件)：
5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07 ,  5F102GR12
引用特許：
審査官引用 (5件)
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