特許
J-GLOBAL ID：200903062462696575
X線マスクの製造方法および加熱装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-154322
公開番号（公開出願番号）：特開平9-180994
出願日： 1996年06月14日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 X線吸収体の膜応力は平均的には0となるが部分的には必ずしも0とならないので、所望のパターニングを得ることができないという問題点があった。【解決手段】 シリコン基板1上にX線吸収体4を成膜した後のX線吸収体4の膜応力分布を測定し、X線吸収体4の各箇所における膜応力が0となる所定の温度分布となるようホットプレート8の各ヒータ9a、9b、9cの電気入力を変化させ、X線吸収体4のアニールによる加熱を行うものである。
請求項（抜粋）：
基板上にX線吸収体を成膜した後、アニールにより膜応力を調整するX線マスクの製造方法において、成膜後の上記X線吸収体の膜応力分布を測定し、上記X線吸収体の各箇所における膜応力が0となる所定の温度分布で上記アニールによる加熱を行うことを特徴とするX線マスクの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 1/16
, H01L 21/324
H01L 21/30 531 M
, G03F 1/16 A
, H01L 21/324 D
