表示装置、半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-187762
公開番号（公開出願番号）：特開2008-046619
出願日： 2007年07月19日
公開日（公表日）： 2008年02月28日
要約：

【課題】開口率の高い表示装置又は素子の面積の大きい半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】隣接する画素電極(又は素子の電極)の間に設けられた配線との下方にマルチゲート構造のTFTのチャネル形成領域を設ける。そして、複数のチャネル形成領域のチャネル幅の方向を前記画素電極の形状における長尺方向と平行な方向とする。また、チャネル幅の長さをチャネル長の長さよりも長くすることでチャネル形成領域の面積を大きくする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

隣接する画素電極の間に設けられた配線と、薄膜トランジスタと、を有し、前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域は、前記配線の下方に設けられており、前記チャネル形成領域は前記配線と重なる位置に設けられており、前記チャネル形成領域のチャネル幅の方向は、前記配線における電流の流れる方向と平行な方向であることを特徴とする表示装置。

IPC (14件)：

G09F 9/30 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 27/28 , H01L 51/05 , H01L 41/08 , H01L 41/22 , H01L 27/10 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 51/50 , H05B 33/14 , G02F 1/136 , G09F 9/00

FI (15件)：

G09F9/30 338 , H01L29/78 612D , H01L29/78 612Z , H01L27/10 449 , H01L41/08 D , H01L41/08 Z , H01L41/22 Z , H01L27/10 461 , H01L27/10 621Z , H01L27/10 625Z , H01L27/10 671C , H05B33/14 A , H05B33/14 Z , G02F1/1368 , G09F9/00 365Z

Fターム (90件)：

2H092JA26 , 2H092JA31 , 2H092JA32 , 2H092JA38 , 2H092JA40 , 2H092JA46 , 2H092JB13 , 2H092JB23 , 2H092JB58 , 2H092JB63 , 2H092JB69 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA12 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 2H092NA07 , 2H092NA22 , 2H092NA24 , 2H092NA25 , 3K107AA01 , 3K107AA07 , 3K107AA08 , 3K107BB01 , 3K107CC36 , 3K107CC45 , 3K107EE03 , 3K107HH05 , 5C094AA01 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094DB01 , 5C094EA04 , 5C094FB14 , 5F083AD15 , 5F083AD21 , 5F083FZ07 , 5F083GA11 , 5F083HA02 , 5F083HA10 , 5F083JA01 , 5F083JA02 , 5F083JA06 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083LA01 , 5F083LA19 , 5F083ZA12 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110BB06 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE28 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG23 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN73 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110QQ19 , 5G435AA01 , 5G435BB05 , 5G435HH13 , 5G435LL04 , 5G435LL07 , 5G435LL08

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-117430 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
発光装置及び電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-055899 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
画素回路及び表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-154090 出願人：三洋電機株式会社

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審査官引用 (5件)

発光装置及び電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-055899 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
画素回路及び表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-154090 出願人：三洋電機株式会社
表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-297316 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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