半導体製造装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：堀城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-009802
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208480
出願日： 1999年01月18日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 IC等の歩留りをさらに高めるようにする。【解決手段】エッチングチャンバーの上部チャンバー2及び下部チャンバー5内部を断熱性の高いOリング4によって高真空に保持するとともに、加熱源3によって上部チャンバー2の側壁のみを加熱し、上部チャンバー2と下部チャンバー5とに温度差を設け、さらに温度の高い上部チャンバー2側にウェハー6を配置させるようにする。エッチング時に発生するパーティクルを下部チャンバー5の内壁側に付着させるとともに、上部チャンバー2側は加熱によってパーティクル量を低減させることで、エッチングチャンバー内のパーティクルによるウェハー6への悪影響を低減させるようにする。

請求項（抜粋）：

ドライエッチングによってエッチングチャンバー内のウェハーをエッチングする半導体製造装置であって、前記エッチングチャンバーの上部チャンバーと下部チャンバーとに温度差を設け、温度の高い前記上部チャンバー側に前記ウェハーを配置させることを特徴とする半導体製造装置。

Fターム (3件)：

5F004AA15 , 5F004BC01 , 5F004CA09

引用特許：

審査官引用 (5件)

プラズマ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-044718 出願人：東京エレクトロン山梨株式会社
エッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-310279 出願人：株式会社日立製作所, 東京エレクトロン山梨株式会社
プラズマ処理方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-301597 出願人：松下電器産業株式会社

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