特許

J-GLOBAL ID：200903025416767317

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 倉田 英明 ,  小林 直樹 ,  佐伯 俊一 ,  小林 孝 ,  河原 尊之 ,  高瀬 賢順 ,  吉田 敬一 ,  金光 道太郎 ,  久保埜 昌次 ,  野副 敦史
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-096613
公開番号（公開出願番号）：特開2007-200545
出願日： 2007年04月02日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：

【課題】不揮発性半導体記憶装置の書込み特性ばらつきを低減し、書込み高速化を実現する【解決手段】本発明は、不揮発性半導体記憶装置の書込み動作の際、書込みセル毎に設けられた一定容量に電荷を蓄積しておき、その電荷をメモリセルによって放電するとき発生するホットエレクトロンを、浮遊ゲートに注入することで書き込みを行う。これにより、不揮発性半導体記憶装置の書込み特性ばらつきを低減し、書込み高速化を実現することができる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

容量に蓄積しておいた電荷をメモリセルを介して放電し、その際発生するホットエレクトロンをメモリセルの電荷蓄積部に注入することにより、書込みまたは消去を行うことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788

FI (7件)：

G11C17/00 611Z ,  G11C17/00 622C ,  G11C17/00 611E ,  G11C17/00 641 ,  G11C17/00 611A ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371

Fターム (42件)：

5B125BA01 ,  5B125BA07 ,  5B125BA19 ,  5B125CA14 ,  5B125DB01 ,  5B125DB08 ,  5B125DB12 ,  5B125DB16 ,  5B125EA02 ,  5B125EA04 ,  5B125EB02 ,  5B125EB07 ,  5B125EC03 ,  5B125ED04 ,  5B125ED09 ,  5B125EJ02 ,  5B125FA01 ,  5B125FA02 ,  5B125FA10 ,  5F083EP02 ,  5F083EP18 ,  5F083EP23 ,  5F083EP30 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083ER02 ,  5F083ER22 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083JA04 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA01 ,  5F101BA45 ,  5F101BB02 ,  5F101BB03 ,  5F101BC11 ,  5F101BD20 ,  5F101BD22 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF05

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開平4-155694
  
• セグメントコラムメモリアレイ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-202694   出願人：サンディスクコーポレイション
• 不揮発性メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-106848   出願人：シヤープ株式会社
• 特開平4-155694
  
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-196393   出願人：日本電気株式会社
• 不揮発性記憶装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-123531   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社