特許
J-GLOBAL ID：200903025431741685

半導体装置及びその製造方法

発明者：
佐竹 秀喜

佐竹 秀喜 について

, 
三谷 祐一郎

三谷 祐一郎 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-274006
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102571
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】 本発明の目的は、高い絶縁破壊耐性を維持したまま、寿命劣化を防ぐことが可能な半導体装置を提供することである。【解決手段】 半導体基板51に形成された素子領域と、前記素子領域上に形成された絶縁膜53と、前記絶縁膜上に形成された導電層54を有し、前記絶縁膜には前記導電層と前記素子領域の間に挟まれた挟み領域があり、前記挟み領域の端部のハロゲン元素濃度が前記挟み領域の中央部のハロゲン元素濃度よりも高い半導体装置。
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成された素子領域と、前記素子領域上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された導電層を有し、前記絶縁膜には前記導電層と前記素子領域の間に挟まれた挟み領域があり、前記挟み領域の端部のハロゲン元素濃度が前記挟み領域の中央部のハロゲン元素濃度よりも高い半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088
FI (4件)：
H01L 21/316 P ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/76 N ,  H01L 27/08 102 B
Fターム (42件)：
5F032AA13 ,  5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032BA01 ,  5F032CA17 ,  5F032DA44 ,  5F032DA48 ,  5F032DA53 ,  5F032DA57 ,  5F032DA74 ,  5F040DA19 ,  5F040DC01 ,  5F040EC07 ,  5F040ED00 ,  5F040ED03 ,  5F040EE05 ,  5F040EK00 ,  5F040EK01 ,  5F040EK05 ,  5F040EL02 ,  5F040FA04 ,  5F040FA07 ,  5F040FC10 ,  5F040FC11 ,  5F040FC15 ,  5F040FC16 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BF02 ,  5F048BG01 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048DA19 ,  5F048DA27 ,  5F058BA01 ,  5F058BC02 ,  5F058BF55 ,  5F058BF59 ,  5F058BF63 ,  5F058BH15 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10
引用特許：
審査官引用 (6件)
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