特許
J-GLOBAL ID：200903025435065757
メッキ方法及び電極の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩野 平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-225568
公開番号（公開出願番号）：特開平11-061423
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 1999年03月05日
要約：
【要約】【課題】 水素吸蔵金属の水素吸蔵特性を十分に残したまま、その表面に安定なメッキ被覆を行うメッキ方法を提供する。また、その表面に水素化などの所定の反応を行う触媒金属で被覆して水素吸蔵金属の表面を活性化し、反応面積をより大きくして反応効率と反応速度をより高めた電極の製造方法を提供する。【解決手段】 水素を吸蔵させた水素吸蔵金属体の表面を無電解メッキ液に接触させ、水素吸蔵金属を脱着する活性な水素で無電解メッキ液内の金属陽イオンを還元し、該水素吸蔵金属体表面を金属でメッキする。また、メッキする水素吸蔵金属体の一面を電解質溶液と接触させて陰極とし、陽極との間で電解質溶液を電解し、水素を発生させて水素吸蔵金属体中に吸蔵させ、水素吸蔵金属体の他の面を無電解メッキ液に接触させて、水素吸蔵金属から離脱する活性水素により水素吸蔵金属体表面を金属でメッキする。これで電極を製造することができる。
請求項（抜粋）：
水素を吸蔵させた水素吸蔵金属の表面を無電解メッキ液に接触させ、水素吸蔵金属から脱着する活性な水素により無電解メッキ液内の金属陽イオンを還元し、該水素吸蔵金属表面を金属でメッキすることを特徴とするメッキ方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 18/42
, C23C 18/52 Z
