特許
J-GLOBAL ID：200903025455260556

半導体光電変換装置

発明者：
宇家 眞司

宇家 眞司 について


出願人/特許権者：
富士フイルムマイクロデバイス株式会社

富士フイルムマイクロデバイス株式会社 について

, 
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-400665
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197897
出願日： 2001年12月28日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】 画素サイズの小型化に適合した半導体光電変換装置を提供する。【解決手段】 半導体光電変換装置は、主表面を有する半導体基板と;前記半導体基板の主表面に形成された多数の光電変換素子と;前記多数の光電変換素子に近接して、前記半導体基板の主表面に形成された機能素子と;前記半導体基板上方に形成され、前記機能素子の上方を遮光し、前記光電変換素子の所定領域上方を開口する窓を有する遮光膜と;前記半導体基板上方で、少なくとも一部の前記窓内に配置され、酸化シリコンより高屈折率の透光体で形成され、前記窓を透過する光の実効波長を低減する実効波長低減部材と;を有する。
請求項（抜粋）：
主表面を有する半導体基板と;前記半導体基板の主表面に形成された多数の光電変換素子と;前記多数の光電変換素子に近接して、前記半導体基板の主表面に形成された機能素子と;前記半導体基板上方に形成され、前記機能素子の上方を遮光し、各前記光電変換素子の所定領域上方を開口する窓を有する遮光膜と;前記半導体基板上方で、少なくとも一部の前記窓内に配置され、酸化シリコンより高屈折率の透光体で形成され、前記窓を透過する光の実効波長を低減する実効波長低減部材と;を有する半導体光電変換装置。
IPC (4件)：
H01L 27/148 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335
FI (4件)：
H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 B ,  H01L 27/14 D ,  H01L 31/10 A
Fターム (38件)：
4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118CA04 ,  4M118DA03 ,  4M118DA13 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35 ,  4M118GB03 ,  4M118GB08 ,  4M118GB11 ,  4M118GB18 ,  4M118GC08 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024CY04 ,  5C024EX43 ,  5C024EX52 ,  5C024GZ34 ,  5C024GZ40 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA01 ,  5F049NA19 ,  5F049NB05 ,  5F049PA10 ,  5F049QA03 ,  5F049QA14 ,  5F049QA15 ,  5F049RA03 ,  5F049RA06 ,  5F049RA08 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ01 ,  5F049SZ20 ,  5F049TA12 ,  5F049TA13
引用特許：
審査官引用 (7件)
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