特許
J-GLOBAL ID：200903094750513468
半導体発光装置及びこれを用いたコンピュータシステム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-058791
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256665
出願日： 1997年03月13日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 発光領域の上下にブラッグ反射器を搭載した微小共振器レーザにおいて、従来のGaAsとAlAsからなるブラッグ反射器より、Leakyモードを抑制し且つ大きな自然放出光結合係数を実現すること。【解決手段】 AlAsと格子整合可能で、且つGaAsより屈折率の大きなGaInNAsを用いて、AlAs/GaInNAsブラッグ反射器を微小共振器レーザに採用する。AlAs/GaInNAsのブラッグ反射器はGaAs/AlAsのブラッグ反射器より高い反射率を有するため、微小共振器レーザのLeakyモードは抑制され且つその自然放出光結合係数は向上する。【効果】 微小共振器レーザのしきい値電流の低減、雑音の低減、光ビームの空間的指向性の向上が図れる。
請求項（抜粋）：
GaAs半導体基板上に、AlAsからなる第1半導体層と該第1半導体層よりも屈折率の大きなGaInNAsからなる第2半導体層を周期的に積層して構成された第1半導体領域と、AlAsからなる第3半導体層と該第3半導体層より屈折率の大きなGaInNAsからなる第4半導体層を周期的に積層してなる第2半導体領域と、GaInNAsからなり且つ電子と正孔が発光再結合を生じる第5半導体層とAlAsからなる第6半導体層とで構成される第3半導体領域を有する半導体発光装置において、第3半導体領域の実効的な屈折率の大きさが第2半導体と第4半導体の屈折率に比べて小さく、第3半導体領域が第1半導体領域と第2半導体領域との間に挟まれると共に第3半導体領域に第2半導体層と第4半導体層が接し、且つ第3半導体領域での実効波長をλeffとしたときに第3半導体領域の厚さdが0.49λeff≦d≦0.51λeffとなることを特徴とする本発明の半導体発光装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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