特許
J-GLOBAL ID：200903025560093207

ドライエッチング方法

発明者：
清水 昭貴

清水 昭貴 について

, 
平井 克典

平井 克典 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-147743
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343771
出願日： 2001年05月17日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：
【要約】【課題】 パターンが疎に配置された部分と、密に配置された部分とを有するものであっても、従来に較べて、窒化チタン層の側壁部分の形状を略垂直にエッチングすることのできるドライエッチング方法を提供する。【解決手段】 エッチングガスとしてCl2 +Heのガスを使用し、フォトレジストからなり所定形状にパターニングされたマスク層104を介して、プラズマエッチングにより、窒化チタン層102をエッチングする。
請求項（抜粋）：
レジストからなるマスク層を介して、窒化チタン層をエッチングし、当該窒化チタン層を所定のパターンにパターニングするドライエッチング方法であって、Cl2 ガスとHeガスとを含むエッチングガスを用いたプラズマエッチングにより、前記窒化チタン層の側壁形状が略垂直形状になるようにエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/3213
FI (4件)：
H01L 21/28 F ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/88 R
Fターム (24件)：
4M104BB30 ,  4M104DD65 ,  4M104FF18 ,  5F004AA01 ,  5F004AA05 ,  5F004BA04 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004DA04 ,  5F004DA22 ,  5F004DB10 ,  5F004DB12 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033MM05 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033WW00 ,  5F033WW06
引用特許：
審査官引用 (5件)
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