特許
J-GLOBAL ID：200903025888675491
アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜のエッチング方 法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-272145
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116819
出願日： 1996年10月15日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：
【要約】【課題】フォトレジスト膜から発生するデポジション成分が十分でないエッチング初期においてノッチやサイドエッチングといった形状異常が発生する。デポジションガスを加える方法ではエッチング残査発生や剥離不能といった問題が生じる。【解決手段】フォトレジスト膜4をマスクにてアルミ及びアルミ合金膜3をドライエッチングする場合、マスクから発生するデポジション成分が希薄な、エッチング開始直後の10〜20秒間窒素ガス或いはC原子を含むガスを添加する。この方法を用いることにより、エッチング初期に発生する形状異常を抑制し、なおかつ残査や剥離性の問題も解消させることができる。
請求項（抜粋）：
フォトレジスト膜のマスクを用いてアルミニウム膜又はアルミニウム合金膜をドライエッチングする方法において、エッチング開始後10〜20秒間反応ガスにデポジション性ガスを添加することを特徴とするアルミニウム膜又はアルミニウム合金膜のドライエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 G
, C23F 4/00 E
