半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂口博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-195743
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049333
出願日： 1999年07月09日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 0.05μm以下のチャネル長を有する短チャネル装置をも制御するためのドーピング構造部を得る。【解決手段】ゲート40、ゲート40の下のゲート酸化物層41、接合深さ45を有するソース領域42とドレイン領域43、チャネル長44、ハロー注入部46、補償注入部47と側部分布テール48を有する。補償注入部47はゲート酸化物層41の下に設けられ、ハロー注入部46に囲まれている。自己整合ゲート補償注入部(compensation implant)47を使用して、ハロー注入部の側部分布テール48を減少させ、分布テールがオーバーラップしないようすることにより短チャネルVtロールオフを解消している。

請求項（抜粋）：