窒化物系III-V族化合物半導体の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-229101
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058462
出願日： 1998年08月13日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】非発光センタの少ない、結晶性に優れた窒化物系III -V族化合物半導体を製造する。【解決手段】 III 族元素の原料と、V族元素の原料のアンモニアと、水素を用いて、気相成長により、窒化物系III -V族化合物半導体を製造する場合に、水素とアンモニアの合計量に対する水素の気相モル比(H<SB>2 </SB>/(H<SB>2 </SB>+NH<SB>3 </SB>))を、0.3<(H<SB>2 </SB>/(H<SB>2 </SB>+NH<SB>3 </SB>))<0.7、0.3<(H<SB>2 </SB>/(H<SB>2 </SB>+NH<SB>3 </SB>))<0.6、あるいは0.4<(H<SB>2 </SB>/(H<SB>2 </SB>+NH<SB>3 </SB>))<0.5に特定する。

請求項（抜粋）：

少なくとも、III 族元素の原料と、V族元素の原料のアンモニアと、水素を用いて、気相成長により、窒化物系III -V族化合物半導体を製造する方法であって、上記水素と上記アンモニアの合計量に対する水素の気相モル比、(H<SB>2 </SB>/(H<SB>2 </SB>+NH<SB>3 </SB>)と記す)が、0.3<(H<SB>2 </SB>/(H<SB>2 </SB>+NH<SB>3 </SB>))<0.7であることを特徴とする化合物半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/30

FI (3件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 3/18

Fターム (50件)：

5F041AA03 , 5F041AA11 , 5F041AA31 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB19 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AD09 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AE02 , 5F045AE03 , 5F045AE05 , 5F045AE07 , 5F045AE09 , 5F045AE11 , 5F045AE13 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AE29 , 5F045AE30 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CB02 , 5F045DP04 , 5F045DQ06 , 5F045EE04 , 5F045EE12 , 5F045EE14 , 5F045EG07 , 5F045EK02 , 5F073CA02 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073DA35 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (7件)

化合物半導体成長層及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-047593 出願人：昭和電工株式会社
特開平3-003233
化合物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-221816 出願人：株式会社東芝

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