特許
J-GLOBAL ID：200903003655980010

薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法

発明者：
李 制 勳

李 制 勳 について

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金 成 鎭

金 成 鎭 について

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金 希 駿

金 希 駿 について

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鄭 敞 午

鄭 敞 午 について


出願人/特許権者：
サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド

サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド について


代理人 (6件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸 ,  藤田 健 ,  都祭 正則 ,  長谷川 俊弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-311701
公開番号（公開出願番号）：特開2006-133769
出願日： 2005年10月26日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：
【課題】H2洗浄を行っても画素の透過率を確保できる薄膜トランジスタ表示板及び製造方法、及び透明電極上に窒化膜を蒸着しても画素の透過率を確保できる薄膜トランジスタ表示板及び製造方法を提供する。【解決手段】薄膜トランジスタ表示板は、基板、基板上のゲート線、窒素を含む透明な導電体からなる基板上の共通電極、ゲート線及び共通電極上のゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上の半導体層、ソース電極を有するデータ線及びソース電極と対向する半導体層上のドレイン電極、ドレイン電極と接続され共通電極と重畳する画素電極を備える。共通電極をIZON、ITON又はa-ITONで、又はITO/ITON、IZO/IZON又はa-ITO/a-ITONの二重層で形成することにより、共通電極上に窒化膜を蒸着する場合に投入されるH2やSiH4ガスによってIZO、ITO又はa-ITO物質内の金属成分が還元されSn又はZnが析出されるのを防ぐ。【選択図】図19A
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に形成され絶縁されて交差するゲート線及びデータ線と、 前記ゲート線とデータ線と接続されている薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタと接続されている画素電極と を備え、 前記画素電極は窒素を含む透明な導電膜を有する、 薄膜トランジスタ表示板。
IPC (4件)：
G02F 1/134 ,  G09F 9/30 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/136
FI (6件)：
G02F1/1343 ,  G09F9/30 338 ,  H01L29/78 612A ,  H01L29/78 612C ,  G09F9/30 339Z ,  G02F1/1368
Fターム (61件)：
2H092GA12 ,  2H092GA25 ,  2H092GA28 ,  2H092HA02 ,  2H092HA03 ,  2H092HA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA18 ,  2H092KB14 ,  2H092MA04 ,  2H092NA01 ,  2H092NA11 ,  2H092NA21 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  5C094AA02 ,  5C094AA10 ,  5C094AA42 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094EA04 ,  5C094GB10 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE23 ,  5F110EE24 ,  5F110FF03 ,  5F110FF28 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HL07 ,  5F110HL10 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110NN01 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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