特許
J-GLOBAL ID：200903025733702581
バックサイド照明構造のCMOSイメージセンサ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-353199
公開番号（公開出願番号）：特開2007-184603
出願日： 2006年12月27日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：
【課題】本発明は、カラーフィルタを除去し、ウエハの裏面の厚さを調節することにより、カラーイメージを容易に実現することができるCMOSイメージセンサ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明のCMOSイメージセンサは、基板の前表面の下に形成され、フィールド酸化膜により互いに分離されるフォトダイオードをそれぞれ備える多数のピクセル領域と、前記基板の前面のピクセル領域上に形成された多層のメタル配線と、該多層のメタル配線の最上層のメタル配線に接続されたバンプと、前記基板の裏面に、光の波長別に互いに異なる深さを有し、前記各ピクセル領域に対応して形成された多数のトレンチと、前記基板の裏面を覆うガラスとを備える。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板の前表面の下に形成され、フィールド酸化膜により互いに分離されるフォトダイオードをそれぞれ備える多数のピクセル領域と、
前記基板の前面のピクセル領域上に形成された多層のメタル配線と、
該多層のメタル配線の最上層のメタル配線に接続されたバンプと、
前記基板の裏面に、光の波長別に互いに異なる深さを有し、前記各ピクセル領域に対応して形成された多数のトレンチと、
前記基板の裏面を覆うガラスと
を備えることを特徴とするCMOSイメージセンサ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L27/14 A
, H04N5/335 E
, H04N5/335 U
4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118CA27
, 4M118EA01
, 4M118EA16
, 4M118FA06
, 4M118GA02
, 4M118GA09
, 4M118GC08
, 4M118HA23
, 4M118HA31
, 5C024CY47
, 5C024DX01
, 5C024EX52
, 5C024EX55
, 5C024GX03
, 5C024GY31
