特許
J-GLOBAL ID：200903085818542632
裏面入射型光検出素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 石田 悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-282164
公開番号（公開出願番号）：特開2005-051080
出願日： 2003年07月29日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：
【課題】 パッケージを充分に小さくでき、且つ被検出光の散乱を抑制することができる裏面入射型光検出素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 裏面入射型ホトダイオード1は、N型半導体基板10、P+型不純物半導体領域11、凹部12、及び窓板13を備えている。N型半導体基板10の上面S1側における表層には、P+型不純物半導体領域11が形成されている。N型半導体基板10の裏面S2におけるP+型不純物半導体領域11に対向する領域には、被検出光の入射部となる凹部12が形成されている。また、凹部12の外縁部14には、窓板13が接合されている。この窓板13は、凹部12の外縁部14に接合されている。この窓板13は、凹部12を覆っており、N型半導体基板10の裏面S2を封止している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の第1面側における表層に設けられ、第2導電型の不純物半導体領域と、
前記半導体基板の第2面における前記不純物半導体領域に対向する領域に形成され、被検出光が入射する凹部と、
前記凹部を覆うように該凹部の外縁部に接合され、前記被検出光を透過させる窓板と、
を備えることを特徴とする裏面入射型光検出素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F088AA02
, 5F088BA15
, 5F088DA17
, 5F088GA07
, 5F088HA13
, 5F088JA20
出願人引用 (1件)
審査官引用 (11件)
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