特許
J-GLOBAL ID:200903025879170930

セラミックス配線基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井内 龍二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-192358
公開番号(公開出願番号):特開平11-040922
出願日: 1997年07月17日
公開日(公表日): 1999年02月12日
要約:
【要約】【課題】 内部に導体ペーストが充填されたグリーンシート上にフォトリソグラフィーと厚膜法との組み合わせにより導体ペースト層を形成する際、導体ペースト乾燥工程で加熱によりグリーンシートの寸法が変化するため、ビア用貫通孔の位置が変化し、ビアカバー部分とビア用貫通孔との間に位置ずれを生じる。【解決手段】 フィルム基材11上のポジ型フォトレジスト層12に導体パターン形状の凹部15が形成され、凹部15に導体ペースト16が充填・乾燥された転写用複合体のポジ型フォトレジスト層12及び導体ペースト乾燥体16’上に、ビア用貫通孔20を有する第1のグリーンシート19を圧接し、ビア用貫通孔20に導体ペースト21を充填・乾燥させ、第1のグリーンシート19上に別の転写用複合体の導体ペースト乾燥体16’及びポジ型フォトレジスト層12を圧接する工程を経てセラミックス配線基板を製造する。
請求項(抜粋):
フィルム基材に形成されたポジ型フォトレジスト層に導体パターン形状の凹部が形成され、該凹部に導体ペーストが充填・乾燥されて転写用複合体が構成され、前記ポジ型フォトレジスト層及び前記導体ペースト乾燥体の上に、ビア用貫通孔が形成された第1のグリーンシートを載置した後加圧する第1の圧接工程と、前記第1のグリーンシートの前記ビア用貫通孔に導体ペーストを充填した後乾燥させる第1の導体ペースト充填・乾燥工程と、前記第1のグリーンシート上に、前記転写用複合体と同様の方法で作製された別の転写用複合体の導体ペースト乾燥体及びポジ型フォトレジスト層を載置・加圧する第2の圧接工程とを含むことを特徴とするセラミックス配線基板の製造方法。
IPC (2件):
H05K 3/12 610 ,  H05K 3/46
FI (2件):
H05K 3/12 610 M ,  H05K 3/46 H
引用特許:
出願人引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る