半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-189254
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007713
出願日： 2001年06月22日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】エミッタ層と外部ベース電極の距離を縮小してベース抵抗の低減と、マスク枚数と工程数の削減が可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】真性ベース層上にSi3N4膜と第2のSiO2膜を形成後、真性ベース層の周辺領域をエッチングして外部ベース形成領域を形成する。次にP型ポリSi膜を堆積後、CMPにより外部ベース電極を埋め込み形成する。次に第2のSiO2膜を除去後、Si3N4膜をマスクに外部ベース電極を酸化して第3のSiO2膜を形成する。次に凹部の側壁にN型ポリSi膜のサイドウォールを形成後、Si3N4膜をエッチングしてエミッタ開口部を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の活性領域に設けたバイポーラトランジスタを備えた半導体装置であって、前記活性領域に設けた第1導電型のコレクタ層と、前記コレクタ層上に設けた単結晶半導体層からなる第2導電型のベース層と、前記ベース層の周辺部を含む所定領域上に設けた第2導電型の第1の多結晶半導体膜からなるベース電極と、前記ベース電極に囲まれた凹部の底面に設けた酸化防止膜と、前記ベース電極を覆う絶縁膜と、前記酸化防止膜に設けたエミッタ窓と、前記エミッタ窓から前記ベース層に設けたエミッタ層と、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/331 , H01L 29/732 , H01L 29/737

FI (2件)：

H01L 29/72 S , H01L 29/72 H

Fターム (11件)：

5F003BB05 , 5F003BB06 , 5F003BB07 , 5F003BB08 , 5F003BC08 , 5F003BE07 , 5F003BF06 , 5F003BG06 , 5F003BM01 , 5F003BP33 , 5F003BS05

引用特許：

審査官引用 (12件)

バイポーラトランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-093843 出願人：新日本無線株式会社
特開昭63-084156
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-169755 出願人：株式会社東芝

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