有機薄膜トランジスタ素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-036452
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247558
出願日： 2003年02月14日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】有機薄膜トランジスタ素子のキャリア移動度を向上させて、on/off比を高くする。【解決手段】酸化チタンを含有するゲート絶縁層及び、少なくとも一方の界面に配向膜が形成された有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ素子。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸化チタンを含有するゲート絶縁層及び、少なくとも一方の界面に配向膜が形成された有機半導体層を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子。

IPC (3件)：

H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/00

FI (5件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 617T , H01L29/78 617V , H01L29/78 618A , H01L29/28

Fターム (26件)：

5F110AA05 , 5F110AA30 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33

引用特許：

審査官引用 (5件)

電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-039712 出願人：日本電気株式会社
液晶表示装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-077787 出願人：株式会社リコー
コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-055997 出願人：株式会社日立製作所

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