特許
J-GLOBAL ID：200903025994721800
光導波路デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (9件)：
中村 稔
, 大塚 文昭
, 熊倉 禎男
, 宍戸 嘉一
, 今城 俊夫
, 小川 信夫
, 村社 厚夫
, 西島 孝喜
, 箱田 篤
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-322073
公開番号（公開出願番号）：特開2004-157275
出願日： 2002年11月06日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：
【課題】ポリマー屑を発生させずにV溝を有するポリマー光導波路デバイスを製造する方法を提供すること、及びポリマー屑の付着による光軸のずれなどが無いV溝を有するポリマー光導波路デバイスを、短い工程時間で製造する方法を提供すること。【解決手段】基板上にポリマー層からなる光導波路と、前記光導波路に接続する光ファイバを搭載するためのV溝を少なくとも有する光導波路デバイスの製造方法であって、前記基板上にV溝を設ける工程、前記V溝を設けた基板上にポリマー層からなる光導波路を形成する工程、前記V溝領域上のポリマー層を反応性イオンエッチングにより少なくともV溝上端面まで除去する工程、前記V溝内に残存するポリマー層を、超音波振動、加熱若しくは冷却、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される方法により除去する工程を含む上記製造方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
基板上にポリマー層からなる光導波路と、前記光導波路に接続する光ファイバを搭載するためのV溝を少なくとも有する光導波路デバイスの製造方法であって、前記基板上にV溝を設ける工程、前記V溝を設けた基板上にポリマー層からなる光導波路を形成する工程、前記V溝領域上のポリマー層を反応性イオンエッチングにより少なくともV溝上端面まで除去する工程、前記V溝内に残存するポリマー層を、超音波振動、加熱若しくは冷却、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される方法により除去する工程を含む上記製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
2H047KA04
, 2H047MA05
, 2H047PA02
, 2H047PA21
, 2H047PA24
, 2H047PA28
, 2H047QA02
, 2H047QA04
, 2H047QA05
, 2H047TA43
, 2H047TA44
