特許
J-GLOBAL ID：200903050106159273

光導波路部材、その製造方法及び光モジュール

発明者：
井戸 立身

井戸 立身 について

, 
長良 高光

長良 高光 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-334196
公開番号（公開出願番号）：特開2002-139641
出願日： 2000年11月01日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：
【要約】【課題】 本願発明は、安価で、且つファイバと低損失な光結合が得られるファイバアライメントV溝付ポリマ導波路基板を提供するものである。【解決手段】 本願発明の代表的な形態は、シリコン基板上の一部に光導波路が形成され、該導波路のコアまたはクラッドがポリマから構成され、該導波路に光ファイバを位置決め固定するためのV形状の溝を該シリコン基板に有し、該V溝と該導波路の境界に該V溝と垂直な方向に伸びる矩形状の溝を該シリコン基板に有し、該導波路を構成するコアまたはクラッドの膜厚が該境界近傍で他の部分よりも薄くなっており、該V溝にファイバを実装した時に、該ファイバのコアの中心の高さが該境界から十分に離れた位置の該導波路のコアの高さよりも低くかつファイバと導波路の間で高効率な光結合が得られる高さになるように、該V溝の形状が設定されていることを特徴とする光導波路部材である。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上の一部に光導波路が形成され、前記光導波路のコアまたはクラッドが高分子樹脂から構成され、前記光導波路に対して光ファイバを位置決め固定するためのV形状の溝と、前記光導波路の境界に前記V形状の溝と垂直な方向に伸びる溝とを前記シリコン基板に有し、前記光導波路を構成するコアまたはクラッドの膜厚が前記境界近傍で他の部分よりも薄くなっており、前記V形状のV溝に光ファイバを実装した時に、前記光ファイバのコアの中心の高さが前記境界から前記V形状の溝よりも離れた膜厚がおよそ平坦な個所での光導波路のコアの中心の高さよりも低くい高さになるように、前記V形状の溝の形状が設定されていることを特徴とする光導波路部材。
IPC (3件)：
G02B 6/13 ,  G02B 6/122 ,  G02B 6/30
FI (3件)：
G02B 6/30 ,  G02B 6/12 M ,  G02B 6/12 A
Fターム (13件)：
2H037AA01 ,  2H037BA24 ,  2H037CA36 ,  2H037DA04 ,  2H037DA06 ,  2H037DA12 ,  2H037DA18 ,  2H047KA04 ,  2H047KA15 ,  2H047MA05 ,  2H047PA28 ,  2H047QA07 ,  2H047TA01
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (1件)

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