特許
J-GLOBAL ID：200903037380275968
ハイブリッド光電子集積用実装基板及びその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-327237
公開番号（公開出願番号）：特開2000-147282
出願日： 1998年11月17日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：
【要約】【課題】 高機能及び低コストなハイブリッド光電子集積回路のプラットホームとして使用され、作製し易く、かつ新しい機能性を付加することが可能な、ハイブリッド光電子集積用実装基板及びその作製方法を提供すること。【解決手段】 ?@頂上が平坦な凸部が形成された基板と、?A前記基板の凸部が形成された面と同一面の所定領域に形成される光導波路と、?B前記基板の前記凸部を含む領域よりなる光素子搭載部と、から構成されるハイブリッド光電子集積用実装基板において、(ア) 前記下部クラッド層が同時に形成された単一層よりなること、(イ) かつ、前記光素子の光軸高さをA、前記光素子を固定し電気導通する半田層上面までの半田層高さをB,前記光導波路のコアの膜厚をC、前記基板上の凸部の頂上を基準とした下部クラッド層の膜厚をDとした際に、A+B=C/2+D、なる関係を満たす構造を有することを解決手段とする。
請求項（抜粋）：
?@片面の一部に頂上が平坦な凸部が形成された基板と、?A前記基板の凸部が形成された面と同一面の所定領域に形成され、光を導波するコア並びに前記コアに光を閉じ込めるための下部クラッド層及び上部クラッド層と、更に、前記基板上に搭載する光素子を接続するための内部端面と前記基板外の外部素子若しくは光ファイバを接続するための外部端面とからなる光導波路と、?B前記基板の前記凸部を含む領域よりなる前記光素子を搭載するための光素子搭載部と、から構成されるハイブリッド光電子集積用実装基板において、(ア) 前記下部クラッド層が同時に形成された単一層よりなること、(イ) かつ、前記光素子の搭載面から当該光素子の活性層の中心までの光軸高さをA、前記基板上の凸部の頂上から前記光素子を固定し電気導通する半田層上面までの半田層高さをB,前記光導波路のコアの膜厚をC、前記基板上の凸部の頂上を基準とした下部クラッド層の膜厚をDとした際に、A+B=C/2+Dなる関係を満たす構造を有すること、を特徴とするハイブリッド光電子集積用実装基板。
Fターム (8件)：
2H047KA04
, 2H047LA12
, 2H047MA07
, 2H047PA21
, 2H047PA24
, 2H047QA04
, 2H047QA05
, 2H047TA43
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (1件)
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