特許
J-GLOBAL ID：200903026003913257
磁気ランダムアクセスメモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-395723
公開番号（公開出願番号）：特開2002-197853
出願日： 2000年12月26日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：
【要約】【課題】 センス時のリファレンス電位を正確に生成する。【解決手段】 バイアス電圧発生回路21は、メモリセルを模した磁気抵抗素子RrefとMOSトランジスタQN3からなる直列回路を有する。磁気抵抗素子RrefのMR比は、メモリセル内の磁気抵抗素子のMR比の半分に設定されている。調整用抵抗rは、ビット線の配線抵抗の半分の抵抗値を有する。降圧用MOSトランジスタQP1のゲートは、ビット線に対するセンス電流源としてのMOSトランジスタのゲートに接続され、両MOSトランジスタによりカレントミラー回路が構成されている。Vbiasが出力され、バイアス電圧発生回路21に定電流が流れると、ビット線にも、この定電流に等しいセンス電流が流れる。ビット線の電位は、メモリセル内の磁気抵抗素子の状態により変化する。
請求項（抜粋）：
絶縁層により分離された複数の磁性層から構成され、前記複数の磁性層の磁化の状態に応じた2つの抵抗値が得られる磁気抵抗素子を有するメモリセルと、前記メモリセルに接続されるビット線と、前記ビット線及び前記メモリセルにセンス電流を流すためのセンス電流源と、前記ビット線及び前記メモリセルに前記センス電流を流したときの前記ビット線の電位をリファレンス電位と比較して、前記メモリセルのデータを検出するセンスアンプと、前記リファレンス電位を生成するためのリファレンスセルを有するバイアス電圧発生回路とを具備し、前記リファレンスセルは、前記磁気抵抗素子が持つ前記2つの抵抗値の中間の抵抗値を有していることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (4件)：
G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01L 27/105
, H01L 43/08
G11C 11/14 Z
, G11C 11/14 A
, G11C 11/15
, H01L 43/08 Z
, H01L 43/08 A
, H01L 27/10 447
5F083FZ10
, 5F083LA03
, 5F083LA08
, 5F083LA09
