特許
J-GLOBAL ID：200903026024494734

イオン打込ステップを備えるとともに、イオンから保護された領域を具備した、特に半導体膜からなる、薄膜を得るための方法

発明者：
ブリュエル,ミシェル

ブリュエル,ミシェル について

, 
アスパール,ベルナール

アスパール,ベルナール について


出願人/特許権者：
コミツサリア タ レネルジー アトミーク

コミツサリア タ レネルジー アトミーク について


代理人 (1件)： 志賀 正武 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-531680
公開番号（公開出願番号）：特表2001-508943
出願日： 1998年01月26日
公開日（公表日）： 2001年07月03日
要約：
【要約】本発明は、基板から薄膜を得るための方法に関するものである。薄膜は、基板内において、イオン打込によって、また、基板の残部から薄膜を分離するための破断ラインを誘起する熱処理によって、規定されている。例えばMOSトランジスタ(12)のグリッド酸化物膜(15)およびチャネル領域(19)からなるような特定の領域であって、薄膜(20)をなすための基板領域(20)上に既に形成されている特定領域は、トランジスタグリッド(16)によるマスキングによって、イオン打込から保護することができる。このことは、基板をなす材料に対しての所定限界寸法を特定領域が超えない限りにおいては、破断形成を妨げることがない。
請求項（抜粋）：
所定材料から形成された基板(10;30)から出発して、前記基板の両面のうちの一方の面(11;31)に隣接した領域(20;41)から構成されかつ前記基板の残部から分離された薄膜を得るための方法であって、-前記領域に形成された少なくとも1つの構造を構成する少なくとも2つの重なり合った領域であるとともに、上部領域(16;36)が、前記基板内において前記基板をなす材料に対しての所定限界寸法を超えないようにマスク領域(22;40)の幅を規定することによって、下部領域(15,19;35,37)に対してのマスク手段として機能しているような、少なくとも2つの重なり合った領域が得られるようにして、前記構造を形成し、-前記基板の厚さ内において平均イオン侵入深さの近傍の深さ位置にマイクロキャビティ層(21;39)を生成し、前記マスク領域(22;40)に対応した領域を除き、前記基板(10;30)の残部に対して前記領域(20;41)を規定し得るよう、前記基板の前記面を通して前記基板(10;30)に対してのイオン打込を行い、-前記限界寸法に比べて前記マスク領域幅が十分に小さい場合には、前記マイクロキャビティ層に沿って連続的な破断ラインを形成するために、あるいは、前記限界寸法に比べて前記マスク領域幅が十分に小さくない場合には、前記マイクロキャビティ層に沿って不連続的な破断ラインを形成するために、十分な高温で熱処理を行い、-前記破断ラインが連続的である場合には、単なる分離によって、あるいは、前記破断ラインが不連続的である場合には、前記領域と前記基板残部との間に機械力を印加することによって、前記基板(10;30)の前記残部から前記薄膜を分離することを特徴とする方法。
IPC (4件)：
H01L 27/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (3件)：
H01L 27/12 B ,  H01L 21/265 Q ,  H01L 29/78 627 D
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示
引用文献：
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM