特許
J-GLOBAL ID:200903026047396616
金属薄膜の形成方法及び金属薄膜
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
特許業務法人エクシオ
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-367554
公開番号(公開出願番号):特開2006-169613
出願日: 2004年12月20日
公開日(公表日): 2006年06月29日
要約:
【課題】 低温焼成によって低抵抗の金属薄膜を形成する方法及び金属薄膜の提供。【解決手段】 Ag、Au、Ni、Pd、Rh、Ru、及びPtから選ばれた少なくとも1種の金属又はこれらの金属の2種以上からなる合金の周りに、有機物が分散剤として付着してなる金属ナノ粒子を、水及び/又は有機酸を含むガス雰囲気下で焼成して、金属薄膜を得る。この有機酸は、炭素数4以下の飽和脂肪酸又は不飽和脂肪酸である。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
Ag、Au、Ni、Pd、Rh、Ru、及びPtから選ばれた少なくとも1種の金属又はこれらの金属の2種以上からなる合金の周りに、有機物が分散剤として付着してなる金属ナノ粒子を焼成して金属薄膜を形成する方法であって、前記焼成を水、有機酸、又は水及び有機酸を含むガス雰囲気下で行うことを特徴とする金属薄膜の形成方法。
IPC (2件):
FI (2件):
B22F7/04 D
, H01B13/00 503Z
Fターム (13件):
4K017BA02
, 4K017BA03
, 4K017EJ02
, 4K017FB07
, 4K018BA01
, 4K018BC29
, 4K018BD04
, 4K018HA08
, 4K018JA22
, 4K018KA33
, 5G307GA06
, 5G307GC02
, 5G323AA03
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (2件)
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表面メタライズ方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-038740
出願人:株式会社荏原製作所
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Cu薄膜の形成法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-226463
出願人:真空冶金株式会社, 日本真空技術株式会社
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