特許
J-GLOBAL ID：200903087096268037
Cu薄膜の形成法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
北村 欣一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-226463
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124157
出願日： 1999年08月10日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】 アスペクト比の大きい配線溝、ビアホールやコンタクトホール等の凹部を有する半導体基板に対し、凹部にボイドを生じることなくCu金属を埋め込み、低コストでCu薄膜を形成しうる方法の開発。【解決手段】 アスペクト比が1〜30である配線溝、ビアホール、コンタクトホールの凹部を有する半導体基板上にCu超微粒子独立分散液を塗布し、該分散液中の有機物質を分解するが、Cuを酸化しない雰囲気中で焼成してCuの金属薄膜を得、次いで該凹部以外の基板上にあるCuを除去して平坦化し、該凹部にCu薄膜を形成する。
請求項（抜粋）：
アスペクト比が1〜30である配線溝、ビアホール、コンタクトホールの凹部を有する半導体基板上にCu超微粒子独立分散液を塗布し、該分散液中の有機物質を分解するが、Cuを酸化しない雰囲気中で焼成してCuの金属薄膜を得、次いで該凹部以外の基板上にあるCuを除去して平坦化し、該凹部にCu薄膜を形成することを特徴とするCu薄膜の形成法。
IPC (3件)：
H01L 21/288
, C23C 24/08
, H01L 21/3205
H01L 21/288 Z
, C23C 24/08 B
, H01L 21/88 M
