半導体スイッチの電極構造

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大菅義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-338864
公開番号（公開出願番号）：特開平11-177021
出願日： 1997年12月09日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】インダクタンスの発生を防止することで、スイッチングロスおよびサージ電圧の発生を低減することが可能な半導体スイッチの電極構造の提供。【解決手段】複数個の半導体チップ2が、放熱板と兼用のドレイン電極3上に直接載置され、さらにソース電極4、5とゲート電極6が前記半導体チップ2を囲むような位置に載置される。前記ソース電極4、5とゲート電極6はドレイン電極3との間に絶縁用樹脂7を強着して電気的に絶縁した上で載置され、また各電極は細いボンディングワイヤ8を複数本並列で半導体チップ2と接続される構成となる。ソース電極4が「コ」の字型でかつその上天板が広く、大きく形成されており、「コ」の字型ソース電極の上天板とドレイン電極が平行かつ近接した配置となり、それぞれに電流が流れることにより相互インダクタンス効果による各電極上のインダクタンスが相殺される。

請求項（抜粋）：

制御電極に供給される制御信号に従って主電流入力用電極から半導体チップを介して主電流出力用電極に電流を供給する半導体スイッチの電極構造において、電流の集中によるインダクタンスの発生を低減できる程度に、前記主電流入力用電極および前記主電流出力用電極の両方の電極を広く大きく形成したことを特徴とする半導体スイッチの電極構造。

IPC (4件)：

H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 23/52 , H01L 29/41

FI (3件)：

H01L 25/04 C , H01L 23/52 D , H01L 29/44 Z

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-233269
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-220106 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-080028 出願人：富士電機株式会社

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