特許
J-GLOBAL ID：200903026176333388

半導体装置、それを備える半導体モジュールおよび半導体装置の製造方法。

発明者：
西 眞弘

西 眞弘 について


出願人/特許権者：
ユーディナデバイス株式会社

ユーディナデバイス株式会社 について


代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-364555
公開番号（公開出願番号）：特開2006-173386
出願日： 2004年12月16日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：
【課題】 オーミックコンタクト不良が発生しない半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 GaN系半導体層1の一面上に、Al含有オーミック電極2と、TiWNからなるバリアメタル層5と、Au配線電極7とが順に形成されている。この場合、Al含有オーミック電極2とAu配線電極7との間にTiWNからなるバリアメタル層5が形成されていることから、Al含有オーミック電極2中のAlとAu配線電極7中のAuとの反応を防止することができる。それにより、半導体装置100の特性劣化を防止することができる。また、TiWNは高温域においてもバリア性に優れていることから、半導体装置100に高温アニール処理を施しても、Al含有オーミック電極2中のAlとAu配線電極7中のAuとの反応を防止することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
GaN系半導体基板上に、Al含有オーミック電極と、TiWN,TiN,WN,WSiNまたはTaNのいずれかからなるバリアメタルと、電極とが設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (2件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C
Fターム (8件)：
5F041AA21 ,  5F041CA40 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F041DA44 ,  5F041DA46
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-331383   出願人：富士通カンタムデバイス株式会社
  • 特開平3-108779
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-183952   出願人：富士通株式会社
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