半導体ウェーハの両面研磨方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：安倍逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-229081
公開番号（公開出願番号）：特開2004-071833
出願日： 2002年08月06日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

【課題】高平坦度ウェーハが得られ、ランニングコストの低減が図れ、ウェーハ表裏両面を短時間で研磨する半導体ウェーハの両面研磨方法を提供する。【解決手段】各研磨作用面に研磨砥粒を固定した表面研磨用の研磨布15と裏面研磨用の研磨布14とにより、表裏両面を高い平坦度で研磨できる。しかも、ランニングコストも低減され、表裏両面を短時間で研磨できる。また、研磨液として、研磨砥粒を含まないpH10.5〜pH13のKOH溶液を使用する。よって、研磨液の取り扱いが容易で、研磨廃液の再利用もしやすい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの表裏両面に、研磨作用面に研磨砥粒が固定された研磨布をそれぞれ押し付け、両研磨作用面に研磨液をそれぞれ供給しながら、前記半導体ウェーハと両研磨布との相対運動により、この半導体ウェーハの表裏両面を同時に研磨する半導体ウェーハの両面研磨方法。

IPC (2件)：

H01L21/304 , B24B7/17

FI (3件)：

H01L21/304 621A , H01L21/304 622C , B24B7/17 Z

Fターム (2件)：

3C043BC06 , 3C043CC04

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体ウェーハの両面研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-271405 出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社
特開昭57-054071
研磨パッド及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-203577 出願人：レンゴー株式会社, 株式会社ロキテクノ, 株式会社エー・シー・イー

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