アイランド露出型半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石井暁夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-294217
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110888
出願日： 2000年09月27日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】少なくとも、表面に半導体素子1を搭載した金属板製のアイランド2と、前記アイランド2の裏面が露出するように前記半導体素子1を密封した合成樹脂製のパッケージ体5とから成る半導体装置において、前記アイランド2とパッケージ体5との間に剥離が発生することを低減する。【解決手段】前記アイランド2における表面のうち前記半導体素子1より外側の部分に、段付き部6を設けるか、或いは、凹所6a,6a′を設ける。

請求項（抜粋）：

少なくとも、表面に半導体素子を搭載した金属板製のアイランドと、前記アイランドの裏面が露出するように前記半導体素子を密封した合成樹脂製のパッケージ体とから成る半導体装置において、前記アイランドにおける表面のうち前記半導体素子より外側の部分に、一段低くした段付き部を設けるか、或いは、凹所を設けたことを特徴とするアイランド露出型半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/50 , H01L 21/56

FI (3件)：

H01L 23/50 U , H01L 23/50 G , H01L 21/56 H

Fターム (8件)：

5F061AA01 , 5F061BA01 , 5F061CA21 , 5F061DD12 , 5F067AA04 , 5F067BD02 , 5F067BE02 , 5F067DF17

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-050567 出願人：株式会社三井ハイテック
特開平4-288842
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-036675 出願人：松下電子工業株式会社

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