特許
J-GLOBAL ID:200903090282763634
樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
外川 英明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-119815
公開番号(公開出願番号):特開平9-307051
出願日: 1996年05月15日
公開日(公表日): 1997年11月28日
要約:
【要約】【課題】本発明では、リード部とベット部が一体となり、かつベット部の大きい高放熱性の樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】半導体チップ9と、半導体チップ9を搭載するベット部1と、半導体チップ9を囲うようにベット部1上に配置され、半導体チップ9と電気的に接続された複数のリード部3と、リード部3とベット部1を接続する吊りピン部5と、半導体チップ9を覆い且つベット部1の一表面を露出した樹脂15とを有し、リード部3が囲む領域は、ベット部上の領域に含まれる。ベット部1とリード部5を個々に作成し、吊りピン部5とベット部1は強固な接続により接続されているため、放熱性が良い樹脂封止型半導体装置を提供することが出来る。
請求項(抜粋):
半導体チップと、この半導体チップを搭載するベット部と、前記半導体チップを囲うように前記ベット部上に配置され、前記半導体チップと電気的に接続された複数のリード部と、このリード部と前記ベット部を接続する吊りピン部と、前記半導体チップを覆い且つ前記ベット部の一表面を露出した樹脂とを有し、前記リード部が囲む領域は、前記ベット部上の領域に含まれることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (3件):
H01L 23/50
, H01L 21/56
, H01L 23/28
FI (4件):
H01L 23/50 F
, H01L 23/50 U
, H01L 21/56 R
, H01L 23/28 A
引用特許:
審査官引用 (6件)
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多層リードフレーム
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-143331
出願人:新光電気工業株式会社
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特開昭60-077432
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特開平1-270336
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