特許
J-GLOBAL ID：200903026338549983

ガス供給装置

発明者：
津田 栄之輔

津田 栄之輔 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-255808
公開番号（公開出願番号）：特開2009-088232
出願日： 2007年09月28日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：
【課題】基板に対向するガス供給面から3種類の処理ガスを基板に供給して成膜処理を行うにあたり、膜厚及び膜質について高い面内均一性を得ることのできる成膜装置等を提供する。【解決手段】 ガス供給装置4は処理容器内の載置台に載置された基板に対向する多数のガス供給孔から、この基板に対して処理を行い、ガス供給装置本体4aは複数のガス導入ポートと、それらから導入されたガスを前記多数のガス供給孔に導くガス流路512(522、532)を備えている。第1のガス供給プレート45及び第2のガス供給プレート44は、共にこのガス供給装置本体4aに設けられ、ガスの種類または流量が互いに異なる多数のガス供給孔を有している。そして前記第1のガス供給プレート45は、ガス供給孔が処理ガスを供給する導入ポートに連通し、ガス供給装置本体4aに対して着脱自在となっている。【選択図】図16
請求項（抜粋）：
処理容器内の載置台に載置された基板に対向する多数のガス供給孔から、前記基板に対して処理を行うための処理ガスを供給するガス供給装置であって、 複数のガス導入ポートと、これら複数のガス導入ポートから導入されたガスを前記多数のガス供給孔に導くガス流路と、を有するガス供給装置本体と、 このガス供給装置本体の下面側領域を分割することにより構成され、各々多数のガス供給孔を備えると共にガスの種類及び流量の少なくも一方が互いに異なる第1のガス供給プレート及び第2のガス供給プレートと、を備え、 前記第1のガス供給プレートは、ガス供給孔が処理ガスを供給するガス導入ポートに連通し、前記ガス供給装置本体に対して着脱自在に設けられたことを特徴とするガス供給装置。
IPC (4件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/306 ,  C23C 16/455
FI (4件)：
H01L21/31 B ,  H01L21/302 201A ,  H01L21/302 101B ,  C23C16/455
Fターム (28件)：
4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BA01 ,  4K030BA18 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030KA45 ,  4K030LA15 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB18 ,  5F004BB26 ,  5F004BB32 ,  5F004BD04 ,  5F045AA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AC00 ,  5F045AF01 ,  5F045BB10 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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