有機半導体のパターニング方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：八田幹雄 , 奈良泰男 , 宇谷勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-168894
公開番号（公開出願番号）：特開2006-352143
出願日： 2006年06月19日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：

【課題】有機半導体のパターニング方法を提供する。【解決手段】熱分解の可能な置換基を有する有機半導体前駆体を利用して湿式法でドナーフィルムを製造し、ドナーフィルムを利用して基材上にパターニングした後に熱処理を行って、前記有機半導体前駆体を有機半導体に転換させることによって有機半導体のパターニングを達成するパターニング方法。【選択図】図1B

請求項（抜粋）：

ベース基材と、前記ベース基材上に配置され、熱分解性置換基を有する有機半導体前駆体を含む転写層と、を備えることを特徴とする有機半導体膜形成用のドナー基材。

IPC (4件)：

H01L 51/40 , H01L 51/05 , H05B 33/10 , H01L 51/50

FI (4件)：

H01L29/28 310J , H01L29/28 100A , H05B33/10 , H05B33/14 A

Fターム (7件)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC45 , 3K107FF17 , 3K107GG09 , 3K107GG26 , 3K107GG28

引用特許：

出願人引用 (6件)

米国特許第6114088号
エレクトロルミネッセント基板およびエレクトロルミネッセント素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-001269 出願人：大日本印刷株式会社
電界発光素子の製造方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-201543 出願人：ソニー株式会社

全件表示

審査官引用 (4件)

電界発光素子の製造方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-201543 出願人：ソニー株式会社
有機薄膜トランジスタ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-309483 出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
架橋した材料の熱転写
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-580085 出願人：スリーエムイノベイティブプロパティズカンパニー

全件表示

引用文献：

出願人引用 (2件)

審査官引用 (2件)

前のページに戻る