特許

J-GLOBAL ID：200903026463976222

III族窒化物系化合物半導体の製造方法及びIII族窒化物系化合物半導体素子

発明者： 小池 正好 ,  手銭 雄太 ,  平松 敏夫
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-367614
公開番号（公開出願番号）：特開2001-181096
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年07月03日
要約：

【要約】【課題】貫通転位の軽減されたIII族窒化物系化合物半導体を提供すること。【解決手段】第1のIII族窒化物系化合物半導体層31を点状、ストライプ状又は格子状等の島状態にエッチングし、段差を設ける。こうして、段差の上段の上面及び側面を核として、第2のIII族窒化物系化合物半導体32を縦及び横方向エピタキシャル成長させることで段差部分を埋めつつ、上方にも成長させることができる。このとき第2のIII族窒化物系化合物半導体32が横方向エピタキシャル成長した部分の上部は、III族窒化物系化合物半導体層31が有する貫通転位の伝搬が抑制され、埋められた段差部分に貫通転位の軽減された領域を作ることができる。

請求項（抜粋）：

III族窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長により得るIII族窒化物系化合物半導体の製造方法において、少なくとも1層のIII族窒化物系化合物半導体から成り、最上層を第1のIII族窒化物系化合物半導体とする基底層をエッチングにより、点状、ストライプ状又は格子状等の島状態になるよう段差を設ける工程と、前記エッチングにより形成された点状、ストライプ状又は格子状等の島状態の前記段差の上段の上面及び側面を核として、第2のIII族窒化物系化合物半導体を縦及び横方向エピタキシャル成長させる工程とを有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (5件)：

C30B 29/38 C ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/343

Fターム (52件)：

4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EF01 ,  4G077FG02 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB03 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF20 ,  5F045BB13 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045EB13 ,  5F045GH05 ,  5F045HA13 ,  5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体基材及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-335591   出願人：三菱電線工業株式会社
• 窒化ガリウム系半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-292684   出願人：株式会社東芝
• 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-037827   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-331797   出願人：日亜化学工業株式会社